Nvidia unisce le forze: TSMC affianca Samsung per produrre la rivoluzionaria memoria AI NVHBM ad alta velocità

Nvidia ha unito le forze di TSMC e Samsung per produrre la memoria AI NVHBM ad alta velocità. Secondo il quotidiano sudcoreano Seoul Economic Daily, Samsung utilizzerà i chip base da 3 nm prodotti da TSMC, poiché TSMC garantisce un rendimento superiore al 90%, mentre Samsung difficilmente supererà il 60%.

La compagnia Samsung, da sempre in competizione con TSMC, dovrà fare concessioni a Nvidia utilizzando i chip base da 3 nm prodotti da TSMC per la memoria di tipo NVHBM. In futuro spera di produrli autonomamente con tecnologia da 2 nm, ma inizialmente questa collaborazione risulterà inevitabile.

Nel mercato della produzione dei chip, la sudcoreana Samsung Electronics e la taiwanese TSMC sono rivali storiche, con quest’ultima che è riconosciuta come leader indiscusso per volumi di produzione, mentre la prima cerca costantemente di eguagliarla, se non superarla, dal punto di vista tecnologico. Samsung rimane comunque il più grande produttore di memoria e, nella produzione di chip base HBM, ha sempre fatto affidamento sulle proprie capacità tecnologiche.

Come riporta il quotidiano sudcoreano Seoul Economic Daily, in qualità di principale cliente della memoria di tipo NVHBM, la società americana Nvidia è riuscita a unire gli sforzi di TSMC e Samsung nella fase di sviluppo. In pratica, il chip base di questo tipo di memoria ha permesso di spostare le funzioni ausiliarie al di fuori del processore grafico (GPU) stesso, aumentando le prestazioni grazie alla collocazione di un numero aggiuntivo di blocchi di calcolo all’interno del GPU. Il controller della memoria è stato trasferito sul chip base NVHBM, mentre l’area del blocco dell’interfaccia di livello fisico (PHY) è stata ridotta del 60% rispetto alla classica HBM. Di conseguenza, la NVHBM ha potuto aumentare la banda passante fino al 30% e ridurre il consumo energetico del 15% rispetto alla standard HBM4E.

Nvidia ha determinato che il processo tecnologico da 3 nm sarebbe stato ottimale per il chip base NVHBM, ma il rendimento dei chip funzionanti dovrebbe superare un valore specifico. TSMC è in grado di garantire questo indicatore oltre il 90%, mentre Samsung Electronics difficilmente riuscirà a superare il 60% nel prossimo futuro. Dal punto di vista di Nvidia, sarebbe stato più conveniente affidare la produzione dei chip base per NVHBM con tecnologia da 3 nm proprio a TSMC.

Secondo le stime di UBS, l’anno prossimo la domanda di HBM crescerà del 91% rispetto all’anno corrente. Tuttavia, i fornitori potranno offrire solo circa il 90% del volume necessario al mercato. Samsung, oltre a tutto il resto, è limitata nella capacità di produrre chip base per NVHBM nelle quantità richieste da Nvidia, quindi le principali speranze in questo settore sono riposte in TSMC. Anche se Samsung nella sua memoria NVHBM farà affidamento sui chip base prodotti da TSMC, lavorerà contemporaneamente per la loro produzione autonoma. In condizioni di carenza, ci sarà spazio sul mercato anche per loro, soprattutto perché le capacità di TSMC sono già impegnate con altri ordini per prodotti da 3 nm. Si prevede che Samsung tenterà di certificare il proprio processo tecnologico da 2 nm per le esigenze corrispondenti.

Secondo altre fonti, TSMC e Samsung collaborano anche nel campo delle tecnologie avanzate di confezionamento dei chip, quindi la loro interazione non si limiterà alla produzione di NVHBM. Samsung prevede comunque di produrre autonomamente i chip base per la classica HBM, come in passato. 

Carolina Vivianti

Carolina Vivianti è consulente/Advisor autonomo in sicurezza informatica con esperienza nel settore tech e security. Ha lavorato come Security Advisor per Ford EU/Ford Motor Company e Vodafone e ha studi presso la Sapienza Università di Roma.

Aree di competenza: Cybersecurity, IT Risk Management, Security Advisory, Threat Analysis, Data Protection, Cloud Security, Compliance & Governance